[00315836]锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610080392.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：河南大学

所在地：河南开封市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器，包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层，YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层，YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层，Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点，能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题，同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。

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