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[00315620]TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410598134.8

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 华东师范大学

所在地：上海上海市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要：本发明公开一种TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料，其包括MoS2纳米花和TiO2纳米颗粒；所述TiO2纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS2纳米花的表面，在花瓣上具有良好复合；所述TiO2纳米颗粒相呈点状密集分布。为本发明还公开了TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料的制备方法，采用两步溶剂热法使MoS2纳米花上均匀生长出点状TiO2纳米颗粒，得到良好复合形貌的材料。本发明制备方法具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展应用潜力。

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