交易价格： 面议
类型： 非专利
技术成熟度： 已有样品
交易方式： 完全转让
联系人： 宁夏技术市场
所在地：宁夏回族自治区银川市
该研究主要来源于国家自然科学基金项目“Ga、Al、In氮化物及其合金和径向异质结纳米线的可控制备和物性研究”、“含碳过渡金属团簇及碳纳米管物性的理论及计算研究”、“氮化铝薄膜制备及过渡金属元素掺杂研究”，教育部留学回国人员科研启动项目“碳纳米管催化生长机理的理论及计算研究”，新疆维吾尔自治区高校科研计划“Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体纳米结构的制备及性能表征”。国家重点实验室开放课题“AlN基低维结构及性质的研究”，企业委托横向课题“碳化硅晶体生长技术研究”，新疆大学博士启动基金“硫族化合物半导体纳米结构的制备及表征”，研究工作的起止时间为2008年1月-2013年4月，历时5年4个月。该项目采用实验结合模拟计算的研究方案，以真空热蒸发、化学气相沉积、水热溶剂热、磁控溅射等实验方法和分子动力学、第一性原理密度泛函等计算方法为研究手段，系统研究低维光电半导体和金属材料的生长机理和物性，扩展和深化了传统生长理论，发展出新的实验方法用于生长有重要应用前景的低维光电半导体，获得新型低维光电材料，掌握了低维结构生长的理论和技术。研究内容主要包括：(1)Ⅱ-Ⅵ化合物半导体低维结构的可控生长机理和技术探索；(2)Ⅲ族氮化物半导体低维结构的生长调控机制和物性；(3)金属团簇的几何结构与电子特性。围绕以上三个方面，该项目获得了以下研究成果：(1)拓展了Ⅱ-Ⅵ化合物半导体低维结构在气相、溶液相环境下的生长机制，将气-液-固(VLS)生长机制引入到真空热蒸发过程中，发展出了生长低维Ⅱ-Ⅵ化合物半导体纳米结构新的普适方法。(2)研究了气相条件下，Ⅲ族氮化物半导体低维结构的反应生长机制，探索了生长动力学因素结合晶体结构调控氮化物低维结构的取向生长机理，实现了一维AlN阵列在多种衬底上无催化剂生长，得到了独立透明新型AlN纳米晶薄膜，发展了该材料体系气相生长的机制。(3)将第一性原理密度泛函计算方法和经典分子动力学方法结合，同时采用了遗传算法并对之进行了推广扩充。首次详细研究了极小尺寸金属团簇熔点的判据，预言了Lindemann因子判断极小尺寸金属团簇熔点的失效性。系统研究了系列中性及带电含C过渡金属团簇的几何结构与电子结构。该项目共发表学术论文43篇，其中被SCI收录论文24篇，被SCI数据库引用103次，获得授权发明专利7项。项目完成期间获得新疆维吾尔自治区自然科学优秀学术论文二等奖1项、三等奖2项。依托项目培养毕业52名研究生，其中3人获得自治区优秀硕士毕业论文奖励。项目成果为新疆大学申请“材料科学与工程”一级硕士学位点、新疆高校重点实验室发挥了关键作用，为自治区“材料物理”和“凝聚态物理”学科的发展起到了重要推动作用。该项目经新疆维吾尔自治区科技厅组织专家鉴定，达到国内领先水平。
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