[00308483]一种带隙可调的BN（Al）薄膜材料及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710413970.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：吉林大学

所在地：吉林长春市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法，本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控，增加其紫外光的吸收范围，其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材，在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷，同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处，实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得，工艺简单且效率高，可用于波长可调的发光器件，近紫外光吸收材料或光探测器件。

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