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[00307894]一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510094943.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

所在地:湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法。复合电极包括Cu/Ni合金层和覆盖在Cu/Ni合金层上的石墨烯薄膜;其中,Cu/Ni合金层由Ni膜和覆盖在Ni膜上Cu膜发生Ni原子与Cu原子的相互扩散形成,Ni膜与Cu膜的厚度比为1(3~10)。本发明避免了石墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏,减少了石墨烯缺陷的数目,通过调整Ni膜与Cu膜的厚度,采用分段升温的CVD工艺,获得高质量的石墨烯,增强了石墨烯对Cu/Ni合金的保护能力,得到的复合电极具有优异的抗腐蚀性能。

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