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[00307888]一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器

交易价格: 面议

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201220651429.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 华中科技大学

所在地:湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本实用新型提供了一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器,从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极,中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。本实用新型忆阻器能够在循环的正负电压下进行稳定快速的高低阻切换,可应用于未来高密度低功耗的非易失性存储器;该器件制备工艺简单,GST作为功能材料性能稳定、成本低,满足大规模量产的需求。

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