[00306712]一种InAsxP1-x合金纳米线及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410039958.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：湖南大学

所在地：湖南长沙市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAsxP1-x合金纳米线。其化学式为InAsxP1-x，其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAsxP1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAsxP1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。

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