[00304214]一种基于垂直磁隧道的自旋力矩存储器件
交易价格:
面议
类型:
非专利
技术成熟度:
已有样品
交易方式:
完全转让
联系人:
姚毅坚
所在地:广西壮族自治区南宁市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
项目简介:2009年,自旋力矩存储器件被提出,它可以为大密度非易失性存储器和神经形态计算提供快速,低功耗和无限大的存储行为。 项目核心创新点:一种基于垂直各向异性磁隧道的纳米级自旋-转矩存储器件具有CoFeB/W/CoFeB复合自由层结构的L结。 它的隧穿磁电阻大于200%,并且可以通过自旋转移转矩开关实现记忆行为。 通过围绕W原子团簇的鲁棒畴壁钉扎来维持记忆态,其中通过相反的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用之间的竞争和由Ruderman-Kittel-Kasuya-Yo引起的起伏的层间耦合可以形成纳米尺度的垂直手征自旋织构。 项目详细用途:用于制造功能先进强大的计算存储器。 预期效益说明:预计可以产生经济效益20亿元。