[00303425]利用氟离子注入实现的氮化镓PN结

交易价格： 面议

类型： 实用新型专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201720295253.5

交易方式： 完全转让

联系人：江南大学

所在地：江苏无锡市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。

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