[00303422]一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510953507.3

交易方式： 完全转让

联系人：江南大学

所在地：江苏无锡市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、LDMOS多晶硅栅、第二P+注入区、第三鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第四鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第四N+注入区、第二场氧隔离区和第三场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，器件内部可形成LDMOS-SCR结构的ESD电流泄放路径、鳍式栅控反偏二极管结构的电流泄放路径、栅接电源PMOS与栅接地NMOS串联结构的电流泄放路径，可降低器件的触发电压、提高维持电压，增强器件的电压箝制能力和ESD鲁棒性，此外，鳍式栅控反偏二极管的设计可提高器件的开启速度。

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