[00302956]易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410343236.5

交易方式： 完全转让

联系人：江南大学

所在地：江苏无锡市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明涉及一种易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物，采用以下方法制备（1）将吡唑或其衍生物溶解在反应溶剂中，在‑78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液中，吡唑或其衍生物与烷基锂的摩尔比为11～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应，得到反应混合物；（2）将步骤（1）得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体与甲苯混合，得到锂盐的甲苯溶液；（3）在‑78～0℃按照锂盐与二氯化锗摩尔比21～1.1，将锂盐的甲苯溶液滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；（4）将步骤（3）得到的反应混合物进行过滤，所得滤渣进行低温结晶，得到所述的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物。本发明合成方法简便、合成条件温和，具有良好的成膜性能。

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