[00302406]一种高介电常数、低介电损耗低温相变化合物制备方法及其应用

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610471688.0

交易方式： 完全转让

联系人：江苏科技大学

所在地：江苏镇江市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明属于相变材料领域，公开了一种高介电常数的低温相变化合物、制备方法及其应用。所述相变化合物的化学式为：C8H17N2Br4Zn。室温时，将含Zn2+的可溶性相变化合物和三乙烯二胺衍生物放入烧杯中，在蒸馏水中充分搅拌混合，通过室温缓慢挥发溶液结晶自组装制得。该类高介电相变材料有着很好的储存电能和均匀电场的性能，广泛应用于高储能电容器(特别是嵌入式电容器)和电缆终端材料等领域。本发明的高介电低温相变性质的相变化合物，所采用的材料制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好；不易溶于一般的溶剂，热分解温度点相对较高，晶体颗粒均匀。

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