[00298911]高性能氮化镓基电子材料
交易价格：
面议
类型：
非专利
技术成熟度：
通过小试
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
中国科学院
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
氮化镓（GaN）基电子材料是发展新一代GaN基微波功率器件和电力电子器件的基础，处于信息产业链的高端，是各国竞相占领的新一代战略高技术制高点，也是推动和发展我国新一代信息产业的重要机遇。中科院半导体所是国内最早开展GaN基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、示范和带动作用。经过近二十年的自主创新，攻克了2英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻GaN外延材料、高迁移率GaN外延材料、高迁移率AlGaN/GaN异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的AlGaN/GaN异质结构电子材料，并实现了批量供片。所研制的材料非常适于研制生产高频、大功率GaN基功率器件、单片集成电路和电力电子器件，可广泛应用于手机基站、*、卫星通信、雷达、智能电网、电动汽车、高速列车等领域，具有重大应用前景和市场潜力。
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