[00298160]一种二维纳米硅片的制备方法及其用途

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510167287.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种二维纳米Si片材料的制备方法，将CaSi2与氢卤酸在有机溶剂中加热，或者将CaSi2与氢卤酸盐在有机溶剂中加热制备得到，所述氢卤酸盐在加热条件下分解产生氢卤酸。本发明方法以CaSi2为原料，开发出一种易于工业化生产的溶剂热方法来制备Si纳米片材料，与传统的低温合成方法相比，该方法操作简单、反应时间短、产率高，实验室可以达到克级反应，成本低廉。本发明使用非水溶剂体系，避免了含有大量的羟基基团硅片的产生，产品纯度高，性能好，通过此发明得到的Si纳米片材料经过包碳处理后作为锂离子电池的负极材料具有很高的能量密度和非常优异的循环性能。

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