[00298154]一种制备高比电容石墨烯的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410708764.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

制备高比电容石墨烯的方法，包括如下步骤：1)以氧化石墨烯为原材料，在700±100℃下氩气保护下退火1±0.5小时，对氧化石墨烯进行还原处理；2)将还原后的氧化石墨烯和二氟化氙反应，还原后的氧化石墨烯和二氟化氙的质量比为1:5～20，以此获得氟化的还原氧化石墨烯；3)利用获得的氟化还原氧化石墨烯为原材料，将氟化还原氧化石墨烯放在管式炉中，通以氨气并加热至400-800℃，尤其是500℃下恒温反应3±1小时，然后冷却至室温，即得到氮掺杂的石墨烯。本发明利用缺陷较多的氟化还原氧化石墨烯作为原材料有利于高含量的氮掺杂。同时，氮掺杂石墨烯具有较高的比电容。

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