[00292158]纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器(登记)
交易价格：
面议
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
完全转让
技术入股
许可转让
联系人：
林念文
所在地：宁夏回族自治区
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
该项目采用CMOS工艺和MEMS技术在n型<10.000.00>晶向双面抛光4英寸高阻（ρ>10.000.00Ω·cm）单晶硅片上实现纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器芯片制作，能够完成对压力和磁场的检测，具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度，对于传感器向压/磁信号检测的集成化和一体化方向发展具有重要意义；该项目采用纳米硅/单晶硅异质结制造MOSFET的源极和漏极，具有温度稳定性好的优点，为纳米硅/单晶硅MOSFET在传感器中的进一步应用奠定了基础；该项目提出的利用MOSFET沟道作为力敏电阻和霍尔元件，并且利用四个MOSFET组成惠斯通电桥检测压力和磁场的技术方案，填补了国内外空白，该项目达到国际领先水平。专家组建议进一步实现小型化，降低成本，加快成果转化。
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