[00289612]高掺杂纳米金刚石膜的制备及其在平板显示器件中的应用研究(登记)
交易价格：
面议
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
完全转让
技术入股
许可转让
联系人：
林念文
所在地：宁夏回族自治区
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
采用热阴极等离子体辅助化学气相沉积法制备高导电率的掺杂n型纳米晶金刚石膜, 用高纯N2、NH3 等作氮源；制备氮重掺杂n型纳米晶金刚石膜。控制薄膜沉积参数，如电源功率、Ar /H2 /C源比例，腔压、衬底温度、衬底材质和预处理等等，探索稳定、可重复的氮掺杂纳米晶金刚?∧ぶ票腹ひ铡Ｄ擅捉鸶帐さ闹票腹ひ昭芯坎捎弥绷魅纫跫玃CVD法间歇式生长模式进行实验。 具体的操作就是在金刚石膜生长过程中，在保证激励等离子体不中断的情况下，通过改变工作电压，而降低衬底的温度到不能生长金刚石的温度，然后再恢复到生长状态。首先在沉积阶段，保持设定的参数，开始进行金刚石膜的生长，沉积一定时间后进入干预刻蚀阶段，在干预刻蚀过程开始时，调整调压器，降低激励电压，使沉积温度降到60.000.00℃，其它的原设定值均不改变，设定的干预刻蚀时间到了之后，升温到设定的生长温度，开始新的生长阶段，如此循环，直至金刚石膜达到需要的厚度。
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