[00288276]一种自组装的天然纳米柱薄膜的形成方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710166293.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种自组装的天然纳米柱薄膜的形成方法，将位阻胺材料和宽带隙半导体材料分别溶于低沸点溶剂，共混后旋涂在基片上并退火制备天然纳米柱薄膜；本申请可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的纳米柱薄膜的产生，本申请通过采用纳米柱薄膜为电荷存储层，与有机活性层接触面积大大提高，使得存储容量以及电荷稳定性得到很大的提升，在有机场效应晶体管存储器中有着巨大的潜在应用前景，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

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