[00288275]一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710043631.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，包括以下具体步骤首先制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。本发明进一步提出一种根据上述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管。本发明还提供了上述有机场效应晶体管的制备方法。本发明通过简单的溶液加工工艺，有效地提高有机场效应晶体管的迁移率，便于推广、应用。

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