[00288271]一种多孔结构有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610145236.3
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京邮电大学
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种多孔结构有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机光敏半导体、多孔聚合物薄膜层、栅绝缘层,所述有机光敏半导体与栅绝缘层之间设有多孔结构的聚合物薄膜层,所述源漏电极和有机光敏半导体全部或部分为周期性生长的多孔结构。本发明采用旋涂法在栅绝缘层基片上制备多孔结构的聚合物薄膜层,并将其作为多孔模板层,诱导有机光敏半导体层、金属源漏电极形成周期性多孔形貌生长。本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能及光敏性能,使其存储容量、开关速度和光响应能力得到很大提升;并且降低了器件制备成本,便于推广、应用。