X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
 常见问题
欢迎来到宁夏技术市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求
APP下载 微信公众号
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00288247]悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310107133.4

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京邮电大学

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片,包括顶层氮化物器件层和硅衬底层;该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离,消除硅衬底层对激发光的吸收,实现悬空氮化物薄膜LED器件;所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构,用以改善氮化物的界面状态,提高出光效率;结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除LED器件下方的硅衬底层,得到悬空氮化物薄膜LED器件,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件,降低LED器件的内部损耗,提高出光效率。

Copyright © 2018    宁夏回族自治区生产力促进中心    版权所有    宁ICP备11000235号-3    宁公网安备 64010402000776号

网站访问量:               网站在线人数:0              技术支持:科易网