[00288226]一种高压LDMOS器件
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201310049146.0
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
南京邮电大学
所在地:江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提出一种高压LDMOS器件,所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区;这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值,降低了主结处高的电场峰值,优化了漂移区的表面电场分布,从而能够提高器件的反向击穿电压;还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度,从而提高了器件的最优漂移区浓度,即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成,无需增加掩膜板和附加的工艺步骤,工艺简单,成本低廉。