[00288225]一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310010494.7
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
所在地：江苏南京市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，并能够较好满足ITRS’10相关性能指标要求。
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