[00288220]一种SOI‑LIGBT器件及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710096610.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。

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