[00288212]一种芯片叠层结构参数的测量方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510089321.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线，根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半导体掺杂浓度，根据低频电容—电压曲线的外加电压为零的点和特征极值点测量该结构的绝缘层固定电荷密度。采用此发明为评估三维集成中芯片叠层结构的可靠性提供了一个简单且非破坏性的表征方法。

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