[00287008]一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610037521.3
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供一种涂层导体Y1-xRExBCO超导层的生长方法，具体涉及一种利用磁控溅射法在铝酸镧(LAO)基片上制备Y1-xRExBCO超导层的方法，有效克服YBCO超导层的厚度效应，提高超导载流能力。先用Sm或者Gd部分代替Y制备Y1-xRExBCO磁控溅射靶材，然后再将反应室抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将LAO基片加热至600～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，开始溅射。溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气至气压维持在700～750mbar，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到LAO基带上生长的Y1-xRExBCO超导层。利用该方法能生产出Y1-xRExBCO超导层的厚度达到3μm的涂层导体。
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