[00286998]一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310403361.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法，属于纳米材料合成领域。该方法以CdTe量子点为原料，3-巯基丙酸作为稳定剂和硫源，以水为溶剂，将镉盐与3-巯基丙酸按一定比例制成溶液，微波加热反应，通过控制反应条件，即可得到具有不同CdS壳层厚度的CdTe/CdS核-壳型量子点。该方法反应条件温和，操作简便，反应时间短，可生长厚度可控的CdS壳层，制备所得核-壳量子点的发光波长范围连续可调，光稳定性强。

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