[00286988]一种含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410404987.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京邮电大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用，其结构如式（I）所示：（I）其中Ar表示咔唑或者叔丁基咔唑，Ph是苯基。含有N-P=S共振结构，动态调节电学性能，高三线态能级，双极传输型的光电功能材料，其优点是：原料廉价，合成方法简便，并且该类材料具有良好的溶解性、成膜性和稳定性。通过引入N-P=S的共振结构可以明显的改善材料的载流子传输能力，赋予其优异的空穴传输和电子传输能力。利用本发明材料制备的电致发光器件，具有高效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能，本发明对发展高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。

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