[00286228]一种基于层状钴氧化物的低温测温元件

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710421121.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜；本发明测温元件在0℃~‑200℃下电阻温度系数大，电阻温度关系线性好，物理化学性能稳定、成本低廉。

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