[00286221]一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710408066.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明以负载于硅片的单层PS小球为模板，采用直流磁控溅射的方式将ZnO沉积在单层PS小球模板上得到ZnO镶嵌于PS小球模板的结合物，经退火处理得到ZnO纳米量子点，而后通过水热方法生长制备增强太赫兹波的ZnO纳米阵列；本发明方法对设备要求低，工艺简单；制备的ZnO纳米阵列的阵列结构整齐，提高太赫兹波的激发强度与探测灵敏度；本发明方法为制备纳米阵列结构提供了新的思路，在薄膜太阳能电池、气体传感器、生物传感器等领域也具有广泛的应用前景。

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