[00285879]一种稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710028500.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供一种稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料，其化学式为Bi1‑yReyPbO2X；其中，y=0.001~0.4，X为F、Cl、Br、I中的一种或任意几种，Re为Tb、Ce、Nd、Dy、Eu、Sm、Pr、Lu、Er、Tm、Yb、Gd中的一种或任意几种；本发明提供的稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料具有很好的发光性质，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为新型紫外、可见、近红外发光材料得到应用。

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