[00285878]一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710028499.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料，该材料利用卤素离子自掺杂增强稀土离子的发光效率，其化学式为Bi1‑xRexOMy，其中x=0.0025~0.1，y=1.2~4，Re=Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er、La中的一种或者任意几种，M=Cl、Br、I中的一种；该材料通过卤素离子在卤氧化铋纳米半导体中的自掺杂行为，提高了其二维原子层的层间内电场，增强稀土离子的发光效率；本发明材料的制备方法成本低廉、工艺简单、条件温和、能耗低，不需要复杂设备，具有工业和市场应用推广前景。

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