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[00284905]一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201611064731.8

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 昆明理工大学

所在地:云南昆明市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中,含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1:0.1~2;配置成浓度为0.05‑5.0mol/L钙钛矿溶液;向基片P上滴加钙钛矿溶液,盖上基片Q;利用基片P与基片Q两片基片,控制钙钛矿单晶的生长方向,使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长,即钙钛矿单晶只能延两个方向生长,随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。本发明可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜;方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。

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