[00284687]低温高速生长SiC单晶的助熔剂

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610705887.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO₃+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。

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