[00284417]一种ITO薄膜的制备方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610332553.6
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法，属于ITO薄膜制造技术领域。在真条件下，将基片依次经过去离子水、碱液、丙酮、乙醇、去离子水清洗后，烘干保存；然后进行预溅射；在真空度为1X10‑6torr和衬底转速为12～18r/min条件下，通入氩气和氧气，在溅射压强为2mTorr～5mTorr、设置靶与基片间距为10～20cm溅射10～15min，然后加热基片控制在沉积温度为20～200℃条件下沉积15～20min获得镀膜基片；冷却退火：将得到的镀膜基片在退火温度为300～500℃条件下退火40～120min，冷却后得到镀覆ITO薄膜的基片。该方法工艺简单，制作成本低，ITO薄膜性能稳定，能够为OLED制作提供高质量的ITO玻璃的ITO薄膜制造工艺。
微信公众号
