[00283849]一种制备超冶金级硅的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200710066017.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种制备超冶金级硅的方法。本发明涉及属于制备高纯度一种硅的方法，特别是由冶金级硅制备纯度大于99.99％的超冶金级硅的方法。本发明是将块状冶金级硅经过清洗、破碎、球磨、筛分、初步除杂等工序后，放入超声波、微波场中进行冶金酸浸处理，经过强化处理后的冶金级硅粉再采用常压湿法浸出和高温高压浸出结合，使得冶金级硅粉中的金属杂质能够尽快的进入浸出液中，浸出液经过萃取后循环利用，而萃取剂也经过反萃取后循环利用。本方法联合采用了微波冶金、超声波冶金、高温高压浸出等特种场强化技术，制备的硅纯度为99.99％以上，满足太阳能电池行业对超冶金级硅的要求，且设备投资少、能耗低，对环境的影响比较小，成本低。

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