[00282850]一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610008801.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种高效光电性能铜基硫硒化物半导体薄膜，为多元铜基硫硒化物材料，化学通式为Cu_x1M1_x2M2_x3(SSe)_x4，M1和M2为不同的金属元素，且分别为Zn、Sn、Ge、Si、In、Ga、Al中的一种；多元铜基硫硒化物为铜锌锡硫或CuGaS₂薄膜；制备方法采用溶液‑旋涂法，简单的湿度调控方法制备高效光电性能的多元铜基硫硒化物半导体薄膜。通过调控前驱体溶液所处的环境湿度使多元铜基硫硒化物的光电性能得到显著提升。此湿度调控方法操作简单，且具有通用性。

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