[00282432]紫外发光二极管芯片及其制造方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610545536.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种紫外发光二极管芯片，包括主要由衬底、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层组成的外延层，p电极和n电极，其特征在于：所述p‑AlGaN上的p‑GaN层被部分刻蚀形成具有多个小岛或者开孔的浅台面；p‑GaN浅台面上设有金属点，并与石墨烯形成局部欧姆接触。相对于现在的技术，本发明所述的技术方案通过石墨烯作为扩散层，提高了电子的迁移，提高了电流分布的均匀性；通过金属点接触，降低接触电阻，提高发光效率；通过刻蚀GaN层，减少紫外波段的吸收，提高整体紫外出光率。

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