[00282419]在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200510094880.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

在β－Ga₂O₃衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga₂O₃衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N₂，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga₂O₃衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga₂O₃衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga₂O₃衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。

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