[00282411]PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110419288.2

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从下到上依次为底层绝缘介质(5)、电荷存储层(6)、顶层绝缘介质(7)和控制栅极(8)；两层绝缘介质包围电荷存储层可以防止中间电荷的流失；底层绝缘介质将半导体层和电荷存储层隔离。其中控制栅和衬底至少有一种是透光的材料以便于光探测。该探测器利用PN结反偏来产生和收集光信号，通过测量PN结的带带隧穿(BTBT)电流来读取信号大小。

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