[00282408]基于快闪存储器结构的光敏可控器件

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110397660.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求服务免费

技术详细介绍

基于快闪存储器结构NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，衬底上设有n型重掺杂的源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层和控制栅极，组成快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，阻挡氧化层和控制栅极为透明电极。隧穿氧化层厚度约为7nm至10nm，电荷存储层为多晶硅材料，其厚度约为100nm，阻挡氧化层为二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层结构，其厚度分别约为4nm/10nm/5nm，控制栅为多晶硅材料，厚度约为200nm，栅极长度约为0.16微米，宽度约为0.18微米。工作在电信号增大模式下时，首先对光敏器件进行擦除操作，使擦除后光敏器件阈值电压小于其初始阈值，也可工作在电信号减小模式。

成果推荐需求推荐评估专家推荐评估机构推荐

更多>

上海平正评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页
连城资产评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页

更多>