[00282406]异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510816440.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求服务免费

技术详细介绍

本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlxGa1‑xN缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、i型AlyGa1‑yN吸收层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlyGa1‑yN倍增层、i型AlzGa1‑zN倍增层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声，有助于提高APD器件的整体性能。

成果推荐需求推荐评估专家推荐评估机构推荐

更多>

上海平正评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页
连城资产评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页

更多>