[00282405]基于二维层材料p‑i‑n异质结光电子器件

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201511029416.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器，所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑i‑n异质结，所述p‑i‑n异质结包括p‑型半导体二维薄膜材料，所述p‑型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼带隙较大本征半导体或绝缘层下，n‑型半导体二维薄膜材料薄膜4叠放在上述氮化硼上，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，氮化硼将两半导体二维薄膜材料层分开；顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪、ITO等；顶栅金属电极层7在所述顶栅绝缘层上。

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