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[00282372]基于复合介质栅结构像素单元的成像阵列及其曝光操作方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310126156.X

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法,像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器,每个像素单元的源区和漏区是对称的,通过注入形成的P型衬底(1),相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极(2)或源极(7),若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列,在一列(BL)的两端分别为两个选择开关晶体管,晶体管栅极控制端口漏极方向为SD,源极方向为SS,通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输,用于控制一列的选择开启;其中每一条例中的每一行不同像素通过字线(WL)将栅极(3)连接,一条WL同时控制一行像素的栅极。

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