[00282365]一种基于CMOS太赫兹传感器的高响应工作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510440031.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。MOSFET器件栅极(201)上加直流偏置电压V_gs，太赫兹信号从源端(202)输入，漏端(203)接一个稳定电流源(204)，输出电压。在这种工作模式下，由于沟道电流此时的沟道直流电导(G_DS)发生改变：可以使得CMOS太赫兹信号传感器的电压响应(RV)更大，噪声等效功率(NEP)更低。

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