[00282364]基于双控制栅MOSFET结构的光电探测器

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200910030729.2

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

双控制栅MOSFET探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；所述控制栅为分裂栅，设计为一个小控制栅和一个大控制栅；探测器单元的层次从上往下依次是控制栅、第二层绝缘介质层、浮置栅、第一层绝缘介质层和P型半导体衬底(1)；从控制栅往下到基底层设为对探测器探测光波透明的或半透明的窗口。

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