[00282363]复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410226686.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求服务免费

技术详细介绍

本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所有成像器件单元的阈值电压恢复到一个适中的数值（约1V），作为下一次成像的初始阈值电压，并且所有像元的阈值电压分布在一个较小的电压范围，以增加成像窗口，提高动态范围，提高复合介质栅MOSFET光敏探测器的成像效果。本发明的复位方法，可以实现高分辨率复合介质栅MOSFET光敏探测器的快速复位，并且复位功耗很小，简单易实现。

成果推荐需求推荐评估专家推荐评估机构推荐

更多>

上海平正评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页
连城资产评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页

更多>