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[00282357]一种实现硅表面结构平滑的方法与设备

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210579182.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南京大学

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种实现硅表面结构平滑的方法,步骤如下:通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间;基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热,在加热过程中加入氩气,氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象,在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移,或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移,然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气;通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短,工艺要求价格低廉,可以实现量产,并有效实现硅原子表面的平滑。

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