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[00282332]一种平面固态超级电容器的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310311940.8

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及一种平面固态超级电容器的制备方法，在标准硅晶圆上使用半导体器件制造工艺中标准的化学气相沉积法、物理气相沉积法、沟槽刻蚀法、化学机械抛光法、基于硅通孔三维法等方法，制造以SiO2、Al2O3、HfO2或Ba(Sr)TiO3中的一种或几种组成的组合物为核心、与标准半导体器件相兼容的平面固态超级电容器，具有低成本、节能环保、适合大规模制造的优点。

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