[00281151]在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510158938.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南京大学

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。

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